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中芯集成值得申购吗?4月26日新股688469中芯集成申购分析

时间:2023-4-26 阅读:193次 作者:365股票网

688469中芯集成。发行价5.69、总市值385.0992亿。2021静态pe亏损。2022静态pe亏损.与对标企业进行目测对比,2021静态pe明显高估,2022静态pe明显高估.2021市销率19.027明显高估。放弃申购。

概述:

公司是国内领先的特色工艺晶圆代工企业,主要从事 MEMS 和功率器件等领域的晶圆代工及封装测试业务,为客户提供一站式服务的代工制造方案。公司的工艺平台涵盖超高压、车载、先进工业控制和消费类功率器件及模组,以及车载、工业、消费类传感器,应用领域覆盖智能电网、新能源汽车、风力发电、光伏储能、消费电子、5G 通信、物联网、家用电器等行业。2022 年第四季度,公司晶圆代工业务中来自于汽车领域的收入占比已接近 40%。

产品和生产:

公司拥有一座 8 英寸晶圆代工厂,可提供 MEMS 和功率器件等领域的车规级晶圆代工服务。

(1)MEMS

MEMS 是集成了微传感器、微执行器、微机械结构、微电源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件等于一体的微型器件或系统,具有体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、适于批量化生产、易于集成和实现智能化等优点,广泛应用于高新技术产业。MEMS 制造的核心是将传统的机械部件微型化后,通过三维堆叠技术把器件组合并固定在硅晶圆上,制造过程无固定标准化生产工艺流程,通常会根据不同的应用场合采用特殊定制,每种产品都有独特的制造工艺和专属的封装形式,因此产品的工艺技术实现难度较高。

公司拥有国内规模最大、技术最先进的 MEMS 晶圆代工厂,牵头承担了国家科技部十四五规划重点专项“MEMS 传感器批量制造平台”项目。公司具备体硅和表面硅工艺能力,针对主流应用开发了标准化成套制造工艺,重点研究攻克了高精度膜层沉积/生长、高强度键合技术、高兼容度的敏感元件低温工艺、无损集成器件的 MEMS 牺牲层释放技术等一系列共性关键技术,为国家快速发展的物联网、新能源汽车、5G 通信等领域的 MEMS 传感器芯片需求提供了强有力支撑。公司的 MEMS 产品已广泛进入了通讯类和消费类应用,多项先进车载传感器进入了新能源汽车供应链。公司的 MEMS 工艺平台布局完整,覆盖了主流商业化产品应用和车载应用,现主要涵盖四大类,包括 MEMS 麦克风传感器、惯性传感器、射频器件、压力传感器。

①MEMS 麦克风传感器

MEMS 麦克风传感器是基于 MEMS 技术制造的麦克风,它采用表贴工艺进行制造,具有更好的噪声消除性能。公司已经实现硅基麦克风传感器的大规模量产,技术水平进入国际第一梯队,客户群体覆盖全球头部消费类手机品牌,产品应用范围从手机市场延伸到智能语音家电市场。

②惯性传感器

惯性传感器是对物理运动做出反应的器件,如线性位移或角度旋转,并将这种反应转换成电信号,通过电子电路进行放大和处理。目前公司已经实现 MEMS加速度计传感器的量产。公司也同步开发高精度 MEMS 惯性产品的工艺平台,产品应用于无人机和车载电子领域。

③射频器件

射频器件主要用于手机和通信基站,它能够将射频信号和数字信号进行转化,来实现通信功能。公司率先在 4G、5G 多个频段的高频滤波器芯片制造工艺方面和集成系统模组取得突破,实现了高良率、高可靠性的大规模量产,制造的产品性能国内领先,进入了主流移动通讯市场。

④压力传感器

压力传感器通常由压力敏感元件和信号处理单元组成。按不同的测试压力类型,压力传感器可分为绝压式和差压式两种。目前公司生产和研发的压力传感器涵盖上述两种类型,产品应用于汽车电子、消费电子、工业控制以及医疗等领域。

(2)功率器件

功率器件是指能够耐受高电压或承受大电流的半导体分立器件,具体用途是电能变换和控制,如变频、变相、变压、逆变、整流、增幅、开关等,主要包括二极管、晶闸管、IGBT、MOSFET 等产品。

公司制造的功率器件产品主要为其中技术壁垒较高的 IGBT 和 MOSFET,前者通常应用于高压功率产品,后者则通常应用于低压功率产品。在 IGBT 和MOSFET 领域,公司形成了完整的技术和产品布局,覆盖了从低压 12V 到超高压 4,500V 的全电压广泛应用。具体情况如下:

①IGBT

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即绝缘栅双极型晶体管,是能源变换与传输的核心器件。其主要作用是进行交流电和直流电的转换、高低电压的转换,能够提高用电效率和质量、降低碳排放和解决能源短缺问题,有效助力碳中和。在清洁能源发电及利用领域,IGBT 是光伏逆变器和风电逆变器的核心器件,且广泛应用于新能源车电驱系统及充电桩;在传统能源的消耗端,lGBT 在工业上应用于变频器,能够降低设备能耗,帮助实现节能减排。公司建立了国内领先的 IGBT工艺平台,包括沟槽型场截止 IGBT、车载IGBT、高压 IGBT 等。公司的 IGBT 工艺平台具备完整的工艺能力,包括深沟槽刻蚀、

超薄减薄工艺、高能注入、平坦化工艺、激光退火、双面对准、质子注入、局部载流子寿命控制、嵌入式传感器、多元化金属层、高性能介质层、高低温 CP 测试等高端工艺技术,制造的 IGBT 产品在可靠性、开关效率、产品一致性等性能上表现优异,可应用于智能电网、新能源汽车、充电桩、风力发电、光伏储能、家电、变频器、UPS、焊机、感应加热等领域。

公司是目前国内少数提供车规级 IGBT 芯片的晶圆代工企业之一。其中,用于新能源汽车电控电动系统的 750V 到 1,200V 高密度先进 IGBT 及先进主驱逆变器模组形成大规模量产;用于工业控制的 600V 到 1,700V 高密度先进 IGBT 也已大规模量产;用于智能电网的超高压 3,300V 和 4,500V IGBT 实现了进口替代。

②MOSFET

MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),即金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种多子导电的单极型电压控制器件。其主要作为模拟放大元件和电子开关,优点为工作频率高、驱动简单、驱动功率小、抗击穿性好。

公司能够生产从低压到高压的全系列 MOSFET 产品,建立了国内领先的MOSFET 工艺平台,包括沟槽型 MOSFET、屏蔽栅沟槽型 MOSFET、超结MOSFET 等。公司在技术上积累了丰富的研发和生产经验,掌握了超薄晶圆加工、氢注入、超结产品外延生长等关键工艺技术,制造的 MOSFET 产品具有导通电阻小、开关速度快、开关损耗低等特点,产品应用覆盖工业物联网、汽车电子、消费电子、无线通讯、电网输变电、新能源应用等领域。其中,12V 到 200V中低压高密度 MOSFET、500V 到 700V 高压超结 MOSFET 已进入大功率车载应用,用于锂电保护的低压 MOSFET 实现了进口替代。

2、封装测试

公司的封装测试产线按照车规级质量管理体系标准搭建,可以向下兼容工业级及消费级产品,获得了多个国际主流客户的高度认可,并且与之形成了密切的合作关系。

(1)车载塑封功率模组

公司的车载主驱逆变器核心部件塑封功率模组产线已成功量产,该产线实现高度自动化,具备模组到芯片的全面质量回溯系统、完整的车载质量生产管控系统。由该产线制造的车载主驱逆变器产品性能卓越,已通过终端苛刻的车载品高质量考核,实现了新能源汽车主驱关键部件的进口替代。

(2)灌封功率模组

公司的灌封功率模组产线涵盖了从变频器、焊机等中低端应用领域到光伏储能、风电、车载等高端应用领域,为国内外客户提供优质的灌封模组制造服务。公司具备行业顶尖的纳米银低温烧结连接工艺和真空回流工艺,以及耐高温的环氧灌封工艺等先进封装技术,并通过芯片表面覆铜、铜引线键合与铜母线端子超声焊接,实现了功率模块全铜化封装的成套工艺,以适应高功率密度、高温、低杂散电感、低热阻等器件需求。

(3)智能功率模组

智能功率模组(IPM)由高速低功耗的功率开关芯片、优化的门级驱动电路以及快速保护电路构成。公司的 IPM 封测产线实现了金属框架、铝基板和陶瓷基板三种技术解决方案,提供不同型号的主流 IPM 通用代工平台,满足不同功能和功率等级的 IPM 模块封测的需求,配合多家国内家电头部企业开发家电变频模块。

(4)低热阻铜扣封装

公司以铜扣键合作为工艺的基础,搭建了完整的低热阻低电感铜扣双边/方形扁平无引脚封装(DFN/QFN)产线,产品广泛进入新能源汽车、通信电源、无人机以及消费类应用。

3、研发服务

公司研发服务是量产前向客户提供新合作的产品、工艺平台的研究和开发服务。公司充分利用研发、制造能力优势,不断增加产品覆盖范围,在进行新合作的产品和工艺平台时,与客户在产品工艺制程平台开发方面进行深度合作,为客户提供相关的研究和开发服务,包括制造工艺研发、试生产线搭建、产品试制等。

主要原材料采购情况

公司生产经营的主要原材料包括硅片、化学品、备品备件、光阻、光罩、气体、靶材、石英、研磨液等。

估值:

688469中芯集成。发行价5.69、总市值385.0992亿。2021静态pe亏损。2022静态pe亏损.2021市销率19.027

对标的企业:

华润微静态pe33.06。动态pe27.34。2021市销率8.10665

士兰微静态pe134.10。动态pe44.31.2021市销率6.482

华微电子静态pe56.93。动态pe.2021市销率2.98

总结:中芯集成与对标企业进行目测对比,2021静态pe亏损明显高估,2022静态pe亏损明显高估.2021市销率19.027明显高估。放弃申购。

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